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MX0912B351Y,114

MX0912B351Y,114

Solo per riferimento

Numero parte MX0912B351Y,114
PNEDA Part # MX0912B351Y-114
Descrizione RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2
Produttore Ampleon
Prezzo unitario
1 ---------- $2.340,1499
50 ---------- $2.230,4554
100 ---------- $2.120,7608
200 ---------- $2.011,0663
400 ---------- $1.919,6542
500 ---------- $1.828,2421
Disponibile 281
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MX0912B351Y Risorse

Brand Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMX0912B351Y,114
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
MX0912B351Y, MX0912B351Y Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 76,5 KB)
PDFMX0912B351Y Datasheet Copertura
MX0912B351Y Datasheet Pagina 2 MX0912B351Y Datasheet Pagina 3 MX0912B351Y Datasheet Pagina 4 MX0912B351Y Datasheet Pagina 5 MX0912B351Y Datasheet Pagina 6 MX0912B351Y Datasheet Pagina 7 MX0912B351Y Datasheet Pagina 8 MX0912B351Y Datasheet Pagina 9 MX0912B351Y Datasheet Pagina 10 MX0912B351Y Datasheet Pagina 11

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MX0912B351Y Specifiche

ProduttoreAmpleon USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)20V
Frequenza - Transizione1.215GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno7.6dB
Potenza - Max960W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)21A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-439A
Pacchetto dispositivo fornitoreCDFM2

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

20dB

Potenza - Max

1.5W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 10mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

MS2267

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB ~ 8.7dB

Potenza - Max

575W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Temperatura di esercizio

250°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M214

Pacchetto dispositivo fornitore

M214

BFS 460L6 E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5.8V

Frequenza - Transizione

22GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

Guadagno

10dB ~ 14.5dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-XFDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TSLP-6-1

BFP 196R E6501

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

10.5dB ~ 16.5dB

Potenza - Max

700mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT143-4

MS2870

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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