MV2N4857UB
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| Numero parte | MV2N4857UB |
| PNEDA Part # | MV2N4857UB |
| Descrizione | N CHANNEL JFET |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.256 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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MV2N4857UB Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MV2N4857UB |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
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MV2N4857UB Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | * |
| Tipo FET | - |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | - |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 25V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 80mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 3V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) 8 Ohms Potenza - Max 625mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 25mA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max 50mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 600mV @ 10µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4.9pF @ 5V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore 3-MCPH |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 4mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1.8V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 |
