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MURT30060R

MURT30060R

Solo per riferimento

Numero parte MURT30060R
PNEDA Part # MURT30060R
Descrizione DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.318
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MURT30060R Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMURT30060R
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MURT30060R, MURT30060R Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 784,37 KB)
PDFMURT30060R Datasheet Copertura
MURT30060R Datasheet Pagina 2 MURT30060R Datasheet Pagina 3

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MURT30060R Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Anode
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)300A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.7V @ 150A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)200ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaThree Tower
Pacchetto dispositivo fornitoreThree Tower

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Configurazione diodi

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Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

720mV @ 60A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2mA @ 40V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

UFT14060

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

70A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 70A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

90ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 600V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

TO-249AB

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

500mV @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2.5mA @ 30V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

90V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 90V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Pacchetto dispositivo fornitore

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GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

300A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 150A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

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