MURT10005
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| Numero parte | MURT10005 |
| PNEDA Part # | MURT10005 |
| Descrizione | DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.428 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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MURT10005 Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MURT10005 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
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MURT10005 Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 100A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 50A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Three Tower |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
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Produttore Semtech Corporation Serie - Configurazione diodi - Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 500V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 9A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 500V Temperatura di esercizio - Giunzione - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 820mV @ 15A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Configurazione diodi 2 Independent Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 120V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 890mV @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 350µA @ 120V Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore FlatPAK 5x6 (Dual) |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 600mV @ 300A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5mA @ 45V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Three Tower Pacchetto dispositivo fornitore Three Tower |
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Configurazione diodi 2 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 125mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 50mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 500nA @ 80V Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 |
