MURHB860CTT4G
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| Numero parte | MURHB860CTT4G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | MURHB860CTT4G | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE ARRAY GP 600V 4A D2PAK | ||||||||||||||||||
| Produttore | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 9 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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MURHB860CTT4G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MURHB860CTT4G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
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MURHB860CTT4G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | MEGAHERTZ™ |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 4A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2.8V @ 4A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK-3 |
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