MURH860CTH
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| Numero parte | MURH860CTH |
| PNEDA Part # | MURH860CTH |
| Descrizione | DIODE GEN PURPOSE |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.852 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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MURH860CTH Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MURH860CTH |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
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MURH860CTH Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 4A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2.8V @ 4A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 200A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 100A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 90ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 50V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia TO-244AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-244AB |
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