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MURF10060

MURF10060

Solo per riferimento

Numero parte MURF10060
PNEDA Part # MURF10060
Descrizione DIODE MODULE 600V 100A TO244AB
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.992
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 10 - mag 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MURF10060 Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMURF10060
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array

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MURF10060 Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)100A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.7V @ 50A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaTO-244AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-244AB

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Configurazione diodi

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Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1600V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

50A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10mA @ 1600V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

ADD-A-PAK (3)

Pacchetto dispositivo fornitore

ADD-A-PAK®

MBR20200WT

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Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

MBR20H100CTG-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

850mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3.5µA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

MBRT50020R

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

500A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 250A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 40V

Temperatura di esercizio - Giunzione

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