MUR4100ERL
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| Numero parte | MUR4100ERL |
| PNEDA Part # | MUR4100ERL |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 4A DO201AD |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.768 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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MUR4100ERL Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MUR4100ERL |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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MUR4100ERL Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | SWITCHMODE™ |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1000V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 4A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.85V @ 4A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 1000V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/279 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 3000V Corrente - Media Rettificata (Io) 250mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 5V @ 250mA Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 3000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia S, Axial Pacchetto dispositivo fornitore S, Axial Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 600mV @ 300A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5mA @ 40V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D-67 Pacchetto dispositivo fornitore D-67 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 35V Corrente - Media Rettificata (Io) 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 600mV @ 300A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 3mA @ 35V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D-67 Pacchetto dispositivo fornitore D-67 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore IXYS Serie HiPerFRED™ Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 300V Corrente - Media Rettificata (Io) 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 30A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 300V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
