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MUR2X030A10

MUR2X030A10

Solo per riferimento

Numero parte MUR2X030A10
PNEDA Part # MUR2X030A10
Descrizione DIODE GEN PURP 1000V 60A SOT227
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.014
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MUR2X030A10 Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMUR2X030A10
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MUR2X030A10, MUR2X030A10 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 647,98 KB)
PDFMUR2X030A10 Datasheet Copertura
MUR2X030A10 Datasheet Pagina 2 MUR2X030A10 Datasheet Pagina 3

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MUR2X030A10 Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi2 Independent
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1000V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If2.35V @ 30A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)85ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr25µA @ 1000V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227

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Configurazione diodi

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

80V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

720mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

550µA @ 80V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

810mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

250A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 250A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

12mA @ 35V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

TO-244AB

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Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

80V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 80V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 40A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5mA @ 30V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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