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MUN5313DW1T1G

MUN5313DW1T1G

Solo per riferimento

Numero parte MUN5313DW1T1G
PNEDA Part # MUN5313DW1T1G
Descrizione TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 99.756
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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MUN5313DW1T1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMUN5313DW1T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
MUN5313DW1T1G, MUN5313DW1T1G Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 100,93 KB)
PDFNSVB144EPDXV6T1G Datasheet Copertura
NSVB144EPDXV6T1G Datasheet Pagina 2 NSVB144EPDXV6T1G Datasheet Pagina 3 NSVB144EPDXV6T1G Datasheet Pagina 4 NSVB144EPDXV6T1G Datasheet Pagina 5 NSVB144EPDXV6T1G Datasheet Pagina 6 NSVB144EPDXV6T1G Datasheet Pagina 7 NSVB144EPDXV6T1G Datasheet Pagina 8 NSVB144EPDXV6T1G Datasheet Pagina 9 NSVB144EPDXV6T1G Datasheet Pagina 10

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MUN5313DW1T1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistor1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)47kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max250mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88/SC70-6/SOT-363

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

RN4902,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

US6

DMA264020R

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

22kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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EMD29T2R

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA, 500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V, 12V

Resistenza - Base (R1)

1kOhms, 10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz, 260MHz

Potenza - Max

120mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

EMT6

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

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