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MUBW30-12E6K

MUBW30-12E6K

Solo per riferimento

Numero parte MUBW30-12E6K
PNEDA Part # MUBW30-12E6K
Descrizione MODULE IGBT CBI E1
Produttore IXYS
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Disponibile 7.830
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MUBW30-12E6K Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMUBW30-12E6K
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
MUBW30-12E6K, MUBW30-12E6K Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 641,35 KB)
PDFMUBW30-12E6K Datasheet Copertura
MUBW30-12E6K Datasheet Pagina 2 MUBW30-12E6K Datasheet Pagina 3 MUBW30-12E6K Datasheet Pagina 4 MUBW30-12E6K Datasheet Pagina 5 MUBW30-12E6K Datasheet Pagina 6 MUBW30-12E6K Datasheet Pagina 7 MUBW30-12E6K Datasheet Pagina 8 MUBW30-12E6K Datasheet Pagina 9

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MUBW30-12E6K Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneThree Phase Inverter with Brake
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30A
Potenza - Max130W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.6V @ 15V, 30A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce1.18nF @ 25V
InputThree Phase Bridge Rectifier
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaE1
Pacchetto dispositivo fornitoreE1

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600A

Potenza - Max

1420W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 600A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

160nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGL90DA120T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

110A

Potenza - Max

385W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

FF225R12ME4B11BPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

2 Independent

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

320A

Potenza - Max

1050W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 225A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT75DA60T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

445W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

14.7nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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