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MTM861270LBF

MTM861270LBF

Solo per riferimento

Numero parte MTM861270LBF
PNEDA Part # MTM861270LBF
Descrizione MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.192
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MTM861270LBF Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMTM861270LBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
MTM861270LBF, MTM861270LBF Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 283,44 KB)
PDFMTM861270LBF Datasheet Copertura
MTM861270LBF Datasheet Pagina 2 MTM861270LBF Datasheet Pagina 3 MTM861270LBF Datasheet Pagina 4 MTM861270LBF Datasheet Pagina 5 MTM861270LBF Datasheet Pagina 6 MTM861270LBF Datasheet Pagina 7

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MTM861270LBF Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)540mW (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreWSSMini6-F1
Pacchetto / Custodia6-SMD, Flat Leads

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

215nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 (IXTK)

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

JAN2N6770T1

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

4W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-254AA

Pacchetto / Custodia

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

SI2324DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

234mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.25W (Ta), 2.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta), 180A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7820pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

190W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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