MTFC128GAOANAM-WT
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| Numero parte | MTFC128GAOANAM-WT |
| PNEDA Part # | MTFC128GAOANAM-WT |
| Descrizione | MASSFLASH/CONTROLLER 1T |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.448 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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MTFC128GAOANAM-WT Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MTFC128GAOANAM-WT |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MTFC128GAOANAM-WT Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | * |
| Tipo di memoria | - |
| Formato memoria | - |
| Tecnologia | - |
| Dimensione della memoria | - |
| Interfaccia di memoria | - |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
I prodotti a cui potresti essere interessato
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Produttore Micron Technology Inc. Serie Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 20ns Tensione - Alimentazione 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 78-FBGA (8x10.5) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 5ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-CABGA (13x15) |
Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 16Kb (2K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 120ns Tempo di accesso 120ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -55°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 24-CDIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 24-CDIP |
