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MTD10N10ELT4

MTD10N10ELT4

Solo per riferimento

Numero parte MTD10N10ELT4
PNEDA Part # MTD10N10ELT4
Descrizione MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.294
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MTD10N10ELT4 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMTD10N10ELT4
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
MTD10N10ELT4, MTD10N10ELT4 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 78,87 KB)
PDFMTD10N10ELT4 Datasheet Copertura
MTD10N10ELT4 Datasheet Pagina 2 MTD10N10ELT4 Datasheet Pagina 3 MTD10N10ELT4 Datasheet Pagina 4 MTD10N10ELT4 Datasheet Pagina 5 MTD10N10ELT4 Datasheet Pagina 6 MTD10N10ELT4 Datasheet Pagina 7

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MTD10N10ELT4 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 5V
Vgs (massimo)±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1040pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.75W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STP10NK70ZFP

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

700V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

AUIRFR48Z

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

42A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1720pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

91W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDY102PZ

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

830mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 830mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.1nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

135pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

625mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-89-3

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

SSM3J15FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVI

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.7V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9.1pF @ 3V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

USM

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

IRF7807ZTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.8mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

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