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MTA8ATF51264AZ-2G1B1

MTA8ATF51264AZ-2G1B1

Solo per riferimento

Numero parte MTA8ATF51264AZ-2G1B1
PNEDA Part # MTA8ATF51264AZ-2G1B1
Descrizione IC DRAM 32G PARALLEL 1067MHZ
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.190
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MTA8ATF51264AZ-2G1B1 Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMTA8ATF51264AZ-2G1B1
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MTA8ATF51264AZ-2G1B1, MTA8ATF51264AZ-2G1B1 Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 389,62 KB)
PDFMTA8ATF51264AZ-2G6B1 Datasheet Copertura
MTA8ATF51264AZ-2G6B1 Datasheet Pagina 2 MTA8ATF51264AZ-2G6B1 Datasheet Pagina 3 MTA8ATF51264AZ-2G6B1 Datasheet Pagina 4 MTA8ATF51264AZ-2G6B1 Datasheet Pagina 5 MTA8ATF51264AZ-2G6B1 Datasheet Pagina 6 MTA8ATF51264AZ-2G6B1 Datasheet Pagina 7 MTA8ATF51264AZ-2G6B1 Datasheet Pagina 8 MTA8ATF51264AZ-2G6B1 Datasheet Pagina 9 MTA8ATF51264AZ-2G6B1 Datasheet Pagina 10 MTA8ATF51264AZ-2G6B1 Datasheet Pagina 11

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MTA8ATF51264AZ-2G1B1 Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR4
Dimensione della memoria32Gb (512M x 64)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock1067MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.2V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

GD25VQ16CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Produttore

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

BR25H080F-2CE2

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

MT28F320J3RG-11 MET

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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70V05L20PF

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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