MT49H32M18CSJ-25E IT:B
Solo per riferimento
| Numero parte | MT49H32M18CSJ-25E IT:B |
| PNEDA Part # | MT49H32M18CSJ-25E-IT-B |
| Descrizione | IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.016 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
MT49H32M18CSJ-25E IT:B Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | MT49H32M18CSJ-25E IT:B |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
MT49H32M18CSJ-25E IT:B, MT49H32M18CSJ-25E IT:B Datasheet
(Totale pagine: 74, Dimensioni: 1.222,99 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- MT49H32M18CSJ-25E IT:B Datasheet
- where to find MT49H32M18CSJ-25E IT:B
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. MT49H32M18CSJ-25E IT:B
- MT49H32M18CSJ-25E IT:B PDF Datasheet
- MT49H32M18CSJ-25E IT:B Stock
- MT49H32M18CSJ-25E IT:B Pinout
- Datasheet MT49H32M18CSJ-25E IT:B
- MT49H32M18CSJ-25E IT:B Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- MT49H32M18CSJ-25E IT:B Price
- MT49H32M18CSJ-25E IT:B Distributor
MT49H32M18CSJ-25E IT:B Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | DRAM |
| Dimensione della memoria | 576Mb (32M x 18) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 400MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 15ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 144-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 144-FBGA (18.5x11) |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Maxim Integrated Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 70ns Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 32-EDIP |
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM Dimensione della memoria 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 55ns Tempo di accesso 55ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 48-TSOP I |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 2Kb (256 x 8, 128 x 16) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 3MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 2ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH Dimensione della memoria 16Mb (2M x 8, 1M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 200µs Tempo di accesso 90ns Tensione - Alimentazione 2.65V ~ 3.3V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 48-TSOP |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM Dimensione della memoria 128Mb (16M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 5.4ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore 60-FBGA (8x16) |
