MT49H32M18CSJ-25E:B
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| Numero parte | MT49H32M18CSJ-25E:B |
| PNEDA Part # | MT49H32M18CSJ-25E-B |
| Descrizione | IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.986 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 24 - giu 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT49H32M18CSJ-25E:B Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT49H32M18CSJ-25E:B |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
MT49H32M18CSJ-25E:B, MT49H32M18CSJ-25E:B Datasheet
(Totale pagine: 74, Dimensioni: 1.222,99 KB)
  
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MT49H32M18CSJ-25E:B Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | DRAM |
| Dimensione della memoria | 576Mb (32M x 18) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 400MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 15ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 144-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 144-FBGA (18.5x11) |
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