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MT49H32M18CFM-25E:B

MT49H32M18CFM-25E:B

Solo per riferimento

Numero parte MT49H32M18CFM-25E:B
PNEDA Part # MT49H32M18CFM-25E-B
Descrizione IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 8.496
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MT49H32M18CFM-25E:B Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT49H32M18CFM-25E:B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT49H32M18CFM-25E:B, MT49H32M18CFM-25E:B Datasheet (Totale pagine: 74, Dimensioni: 1.222,99 KB)
PDFMT49H32M18CSJ-25E:B TR Datasheet Copertura
MT49H32M18CSJ-25E:B TR Datasheet Pagina 2 MT49H32M18CSJ-25E:B TR Datasheet Pagina 3 MT49H32M18CSJ-25E:B TR Datasheet Pagina 4 MT49H32M18CSJ-25E:B TR Datasheet Pagina 5 MT49H32M18CSJ-25E:B TR Datasheet Pagina 6 MT49H32M18CSJ-25E:B TR Datasheet Pagina 7 MT49H32M18CSJ-25E:B TR Datasheet Pagina 8 MT49H32M18CSJ-25E:B TR Datasheet Pagina 9 MT49H32M18CSJ-25E:B TR Datasheet Pagina 10 MT49H32M18CSJ-25E:B TR Datasheet Pagina 11

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MT49H32M18CFM-25E:B Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaDRAM
Dimensione della memoria576Mb (32M x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso15ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia144-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore144-µBGA (18.5x11)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

172-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

172-FBGA (15x15)

R1RP0416DGE-2PR#B0

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

44-SOJ

7025S35PF

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

128Kb (8K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

N25QH32A13EV7A0

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY7C2165KV18-450BZC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II+

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

450MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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