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MT48V8M16LFF4-8 IT:G TR

MT48V8M16LFF4-8 IT:G TR

Solo per riferimento

Numero parte MT48V8M16LFF4-8 IT:G TR
PNEDA Part # MT48V8M16LFF4-8-IT-G-TR
Descrizione IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.898
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT48V8M16LFF4-8 IT:G TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT48V8M16LFF4-8 IT:G TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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MT48V8M16LFF4-8 IT:G TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock125MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso7ns
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore54-VFBGA (8x8)

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

4ms

Tempo di accesso

450ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

S29GL512P11FAI010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

110ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-Fortified BGA (13x11)

LE25S81FDTWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

500µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 90°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VSOIC

M24C64-WMN6P

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

450ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

576Mb (16M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

533MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

144-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

144-µBGA (18.5x11)

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