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MT47H64M16B7-5E:A

MT47H64M16B7-5E:A

Solo per riferimento

Numero parte MT47H64M16B7-5E:A
PNEDA Part # MT47H64M16B7-5E-A
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.868
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT47H64M16B7-5E:A Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT47H64M16B7-5E:A
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT47H64M16B7-5E:A, MT47H64M16B7-5E:A Datasheet (Totale pagine: 137, Dimensioni: 7.581,3 KB)
PDFMT47H64M16BT-3:A TR Datasheet Copertura
MT47H64M16BT-3:A TR Datasheet Pagina 2 MT47H64M16BT-3:A TR Datasheet Pagina 3 MT47H64M16BT-3:A TR Datasheet Pagina 4 MT47H64M16BT-3:A TR Datasheet Pagina 5 MT47H64M16BT-3:A TR Datasheet Pagina 6 MT47H64M16BT-3:A TR Datasheet Pagina 7 MT47H64M16BT-3:A TR Datasheet Pagina 8 MT47H64M16BT-3:A TR Datasheet Pagina 9 MT47H64M16BT-3:A TR Datasheet Pagina 10 MT47H64M16BT-3:A TR Datasheet Pagina 11

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MT47H64M16B7-5E:A Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR2
Dimensione della memoria1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso600ps
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia92-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore92-FBGA (11x19)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-sTSOP

MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-FBGA (9x11.5)

IS45S16160G-7CTLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

MT29F2G08ABBGAH4-IT:G TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-VFBGA (9x11)

DS1220AB-200IND+

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

200ns

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.75V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA