MT47H512M4THN-3:E TR
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| Numero parte | MT47H512M4THN-3:E TR |
| PNEDA Part # | MT47H512M4THN-3-E-TR |
| Descrizione | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.424 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT47H512M4THN-3:E TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT47H512M4THN-3:E TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
MT47H512M4THN-3:E TR, MT47H512M4THN-3:E TR Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 401,08 KB)
  
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MT47H512M4THN-3:E TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Dimensione della memoria | 2Gb (512M x 4) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 333MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 450ps |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 63-FBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 63-FBGA (9x11.5) |
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