MT47H128M8SH-25E AAT:M
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| Numero parte | MT47H128M8SH-25E AAT:M |
| PNEDA Part # | MT47H128M8SH-25E-AAT-M |
| Descrizione | IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.380 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT47H128M8SH-25E AAT:M Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT47H128M8SH-25E AAT:M |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
MT47H128M8SH-25E AAT:M, MT47H128M8SH-25E AAT:M Datasheet
(Totale pagine: 133, Dimensioni: 9.413,9 KB)
  
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MT47H128M8SH-25E AAT:M Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 400MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 400ps |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 60-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA (10x18) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM Dimensione della memoria 256Mb (32M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 14ns Tempo di accesso 5.4ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore 60-FBGA (8x16) |
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