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MT47H128M8HQ-3 IT:G TR

MT47H128M8HQ-3 IT:G TR

Solo per riferimento

Numero parte MT47H128M8HQ-3 IT:G TR
PNEDA Part # MT47H128M8HQ-3-IT-G-TR
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 2.322
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT47H128M8HQ-3 IT:G TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT47H128M8HQ-3 IT:G TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT47H128M8HQ-3 IT:G TR, MT47H128M8HQ-3 IT:G TR Datasheet (Totale pagine: 134, Dimensioni: 9.292,75 KB)
PDFMT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Copertura
MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 2 MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 3 MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 4 MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 5 MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 6 MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 7 MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 8 MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 9 MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 10 MT47H64M16HR-3 AAT:H TR Datasheet Pagina 11

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MT47H128M8HQ-3 IT:G TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR2
Dimensione della memoria1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso450ps
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia60-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore60-FBGA (8x11.5)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

8Gb (256M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1067MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.2V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

178-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

178-FBGA (11.5x11)

SM662GXB-BD

Silicon Motion, Inc.

Produttore

Silicon Motion, Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

DS1220AB-200IND+

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

200ns

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.75V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

24-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

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93LC56CXT-E/SN

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

6ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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