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MT47H128M16PK-25E IT:C

MT47H128M16PK-25E IT:C

Solo per riferimento

Numero parte MT47H128M16PK-25E IT:C
PNEDA Part # MT47H128M16PK-25E-IT-C
Descrizione IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.706
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT47H128M16PK-25E IT:C Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT47H128M16PK-25E IT:C
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT47H128M16PK-25E IT:C, MT47H128M16PK-25E IT:C Datasheet (Totale pagine: 134, Dimensioni: 2.039,68 KB)
PDFMT47H128M16PK-25E IT:C Datasheet Copertura
MT47H128M16PK-25E IT:C Datasheet Pagina 2 MT47H128M16PK-25E IT:C Datasheet Pagina 3 MT47H128M16PK-25E IT:C Datasheet Pagina 4 MT47H128M16PK-25E IT:C Datasheet Pagina 5 MT47H128M16PK-25E IT:C Datasheet Pagina 6 MT47H128M16PK-25E IT:C Datasheet Pagina 7 MT47H128M16PK-25E IT:C Datasheet Pagina 8 MT47H128M16PK-25E IT:C Datasheet Pagina 9 MT47H128M16PK-25E IT:C Datasheet Pagina 10 MT47H128M16PK-25E IT:C Datasheet Pagina 11

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  • MT47H128M16PK-25E IT:C Distributor

MT47H128M16PK-25E IT:C Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR2
Dimensione della memoria2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso400ps
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore84-FBGA (9x12.5)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

36-SOJ

AT28C64E-20JC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

200µs

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (13.97x11.43)

S29GL256P90FFSS90

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (13x11)

AT27BV4096-15VC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

40-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

40-VSOP

CY7C1462KV25-200AXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

36Mb (2M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.2ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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