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MT46V64M16P-6T IT:A

MT46V64M16P-6T IT:A

Solo per riferimento

Numero parte MT46V64M16P-6T IT:A
PNEDA Part # MT46V64M16P-6T-IT-A
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.092
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT46V64M16P-6T IT:A Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT46V64M16P-6T IT:A
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT46V64M16P-6T IT:A, MT46V64M16P-6T IT:A Datasheet (Totale pagine: 82, Dimensioni: 3.334,43 KB)
PDFMT46V64M16P-6T IT:A Datasheet Copertura
MT46V64M16P-6T IT:A Datasheet Pagina 2 MT46V64M16P-6T IT:A Datasheet Pagina 3 MT46V64M16P-6T IT:A Datasheet Pagina 4 MT46V64M16P-6T IT:A Datasheet Pagina 5 MT46V64M16P-6T IT:A Datasheet Pagina 6 MT46V64M16P-6T IT:A Datasheet Pagina 7 MT46V64M16P-6T IT:A Datasheet Pagina 8 MT46V64M16P-6T IT:A Datasheet Pagina 9 MT46V64M16P-6T IT:A Datasheet Pagina 10 MT46V64M16P-6T IT:A Datasheet Pagina 11

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MT46V64M16P-6T IT:A Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR
Dimensione della memoria1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso700ps
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore66-TSOP

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (8x6)

24LC512-E/P

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

MT29F8G16ABACAH4-IT:C TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

8Gb (512M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Parallax Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DIP

PC28F320C3BD70A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - Boot Block

Dimensione della memoria

32Mb (2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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