MT46V16M16P-5B:M
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| Numero parte | MT46V16M16P-5B:M |
| PNEDA Part # | MT46V16M16P-5B-M |
| Descrizione | IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 377 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT46V16M16P-5B:M Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT46V16M16P-5B:M |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT46V16M16P-5B:M Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR |
| Dimensione della memoria | 256Mb (16M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 200MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 700ps |
| Tensione - Alimentazione | 2.5V ~ 2.7V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 66-TSOP |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous Dimensione della memoria 32Kb (4K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 35ns Tempo di accesso 35ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -55°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 48-DIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 48-SIDE BRAZED |
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