MT46H32M32LFB5-48 IT:B
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| Numero parte | MT46H32M32LFB5-48 IT:B |
| PNEDA Part # | MT46H32M32LFB5-48-IT-B |
| Descrizione | IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.790 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT46H32M32LFB5-48 IT:B Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT46H32M32LFB5-48 IT:B |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT46H32M32LFB5-48 IT:B Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Dimensione della memoria | 1Gb (32M x 32) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 208MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 14.4ns |
| Tempo di accesso | 5.0ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 90-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 90-VFBGA (8x13) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie GL-P Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 256Mb (32M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 110ns Tempo di accesso 110ns Tensione - Alimentazione 1.65V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 56-TSOP |
Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 50ns Tempo di accesso 50ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 48-TSOP |
Produttore Alliance Memory, Inc. Serie Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 20ns Tensione - Alimentazione 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 78-FBGA (9x10.5) |
