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MT44K16M36RB-107E IT:B TR

MT44K16M36RB-107E IT:B TR

Solo per riferimento

Numero parte MT44K16M36RB-107E IT:B TR
PNEDA Part # MT44K16M36RB-107E-IT-B-TR
Descrizione IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 8.100
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MT44K16M36RB-107E IT:B TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT44K16M36RB-107E IT:B TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT44K16M36RB-107E IT:B TR, MT44K16M36RB-107E IT:B TR Datasheet (Totale pagine: 120, Dimensioni: 1.653,88 KB)
PDFMT44K32M18RB-093F:B Datasheet Copertura
MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 2 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 3 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 4 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 5 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 6 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 7 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 8 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 9 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 10 MT44K32M18RB-093F:B Datasheet Pagina 11

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MT44K16M36RB-107E IT:B TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaDRAM
Dimensione della memoria576Mb (16M x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso8ns
Tensione - Alimentazione1.28V ~ 1.42V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia168-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore168-BGA (13.5x13.5)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

18Mb (256K x 72)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2.6ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

209-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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47C16-E/SN16KVAO

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EERAM

Tecnologia

EEPROM, SRAM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

1ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (256 x 4)

Interfaccia di memoria

1-Wire®

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2µs

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Alliance Memory, Inc.

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

8Gb (512M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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71321LA55TFG

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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