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MT42L128M32D1LH-25 WT:A

MT42L128M32D1LH-25 WT:A

Solo per riferimento

Numero parte MT42L128M32D1LH-25 WT:A
PNEDA Part # MT42L128M32D1LH-25-WT-A
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.798
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT42L128M32D1LH-25 WT:A Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT42L128M32D1LH-25 WT:A
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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MT42L128M32D1LH-25 WT:A Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio-30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia216-UFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore216-FBGA (12x12)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

Pacchetto dispositivo fornitore

TSOT-23-5

AS4C64M16MD1-5BCNTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-FBGA (8x10)

CAT24C44LI

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256b (16 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

AK6508CS

AKM Semiconductor Inc.

Produttore

AKM Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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