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MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW-107:P

Solo per riferimento

Numero parte MT41K256M16TW-107:P
PNEDA Part # MT41K256M16TW-107-P
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 17.205
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MT41K256M16TW-107:P Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT41K256M16TW-107:P
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT41K256M16TW-107:P, MT41K256M16TW-107:P Datasheet (Totale pagine: 218, Dimensioni: 3.110,25 KB)
PDFMT41K256M16LY-107:N Datasheet Copertura
MT41K256M16LY-107:N Datasheet Pagina 2 MT41K256M16LY-107:N Datasheet Pagina 3 MT41K256M16LY-107:N Datasheet Pagina 4 MT41K256M16LY-107:N Datasheet Pagina 5 MT41K256M16LY-107:N Datasheet Pagina 6 MT41K256M16LY-107:N Datasheet Pagina 7 MT41K256M16LY-107:N Datasheet Pagina 8 MT41K256M16LY-107:N Datasheet Pagina 9 MT41K256M16LY-107:N Datasheet Pagina 10 MT41K256M16LY-107:N Datasheet Pagina 11

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MT41K256M16TW-107:P Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore96-FBGA (8x14)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

CAT24C04C5ATR

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

5-XFBGA, WLCSP

Pacchetto dispositivo fornitore

5-WLCSP

AT49LW080-33TC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

33MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

300µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-VFBGA (7.5x13)

SM661GE4-AC

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Produttore

Silicon Motion, Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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