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MT41K1G4THD-15E:D

MT41K1G4THD-15E:D

Solo per riferimento

Numero parte MT41K1G4THD-15E:D
PNEDA Part # MT41K1G4THD-15E-D
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 8.856
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT41K1G4THD-15E:D Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT41K1G4THD-15E:D
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT41K1G4THD-15E:D, MT41K1G4THD-15E:D Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 328,14 KB)
PDFMT41K512M8THD-15E:D Datasheet Copertura
MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 2 MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 3 MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 4 MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 5 MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 6 MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 7 MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 8 MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 9 MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 10 MT41K512M8THD-15E:D Datasheet Pagina 11

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MT41K1G4THD-15E:D Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3
Dimensione della memoria4Gb (1G x 4)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso13.5ns
Tensione - Alimentazione1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore78-FBGA (9x11.5)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

SST26 SQI®

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

1.5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

CY7C1381D-100BZC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

M27C1001-45XF1

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - UV

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.75V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

32-CDIP (0.600", 15.24mm) Window

Pacchetto dispositivo fornitore

32-CDIP Frit Seal with Window

MX30LF2G28AC-TI

Macronix

Produttore

Macronix

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY62167G-45ZXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

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