MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
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| Numero parte | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
| PNEDA Part # | MT29RZ4B2DZZHGSK-18-W-80E |
| Descrizione | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.070 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 26 - lug 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH, RAM |
| Tecnologia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 533MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.8V |
| Temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 162-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 162-VFBGA (11.5x13) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 70ns Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 48-TSOP |
Produttore Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 4Kb (512 x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 10MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 4ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 1Kb (128 x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 900ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 12ns Tempo di accesso 12ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 48-CABGA (9x9) |
