MT29F2G16ABAGAWP-AATES:G
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| Numero parte | MT29F2G16ABAGAWP-AATES:G |
| PNEDA Part # | MT29F2G16ABAGAWP-AATES-G |
| Descrizione | IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.958 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT29F2G16ABAGAWP-AATES:G Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT29F2G16ABAGAWP-AATES:G |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT29F2G16ABAGAWP-AATES:G Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | - |
| Formato memoria | - |
| Tecnologia | - |
| Dimensione della memoria | - |
| Interfaccia di memoria | - |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 450ps Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 84-FBGA (8x12.5) |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 128Kb (16K x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 1MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ms Tempo di accesso 550ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 13.5ns Tensione - Alimentazione 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 96-FBGA (9x14) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 512Kb (64K x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 1MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 400ns Tensione - Alimentazione 1.8V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
