MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR
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| Numero parte | MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR |
| PNEDA Part # | MT29F256G08EBHAFJ4-3RES-A-TR |
| Descrizione | IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.500 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 256Gb (32G x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 333MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 2.5V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, QDR II+ Dimensione della memoria 36Mb (1M x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-FBGA (13x15) |
