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MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT

MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT

Solo per riferimento

Numero parte MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT
PNEDA Part # MT29C8G48MAZAPBJA-5-IT
Descrizione IC FLASH RAM 8G PARAL 137TFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.276
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT29C8G48MAZAPBJA-5 IT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT, MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 421,23 KB)
PDFMT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Copertura
MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 2 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 3 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 4 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 5 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 6 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 7 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 8 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 9 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 10 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 11

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MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH, RAM
TecnologiaFLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria8Gb (512M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia137-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore137-TFBGA (10.5x13)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT47H128M8B7-5E:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

600ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

92-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

92-FBGA (11x19)

7024S15J

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (4K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

84-PLCC (29.21x29.21)

CYD36S36V18-167BBXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4ns

Tensione - Alimentazione

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

256-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

256-FBGA (17x17)

IDT71V424YL12PHI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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