MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F
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| Numero parte | MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F |
| PNEDA Part # | MT29AZ5A3CHHWD-18AAT-84F |
| Descrizione | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.082 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 15 - lug 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH, RAM |
| Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8)(NAND), 8Gb (512M x 16)(LPDDR2) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 533MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 162-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 162-VFBGA (10.5x8) |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EERAM Tecnologia EEPROM, SRAM Dimensione della memoria 4Kb (512 x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 1MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 1ms Tempo di accesso 400ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
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