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MT28F400B3WG-8 T

MT28F400B3WG-8 T

Solo per riferimento

Numero parte MT28F400B3WG-8 T
PNEDA Part # MT28F400B3WG-8-T
Descrizione IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP I
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 2.160
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT28F400B3WG-8 T Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT28F400B3WG-8 T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT28F400B3WG-8 T, MT28F400B3WG-8 T Datasheet (Totale pagine: 30, Dimensioni: 464,38 KB)
PDFMT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Copertura
MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 2 MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 3 MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 4 MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 5 MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 6 MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 7 MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 8 MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 9 MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 10 MT28F400B3WG-8 TET TR Datasheet Pagina 11

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MT28F400B3WG-8 T Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8, 256K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina80ns
Tempo di accesso80ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore48-TSOP I

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Produttore

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (256 x 8 x 2)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

450ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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