MT28F320J3BS-11 GMET TR
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| Numero parte | MT28F320J3BS-11 GMET TR |
| PNEDA Part # | MT28F320J3BS-11-GMET-TR |
| Descrizione | IC FLASH 32M PARALLEL 64FBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.790 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 19 - lug 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT28F320J3BS-11 GMET TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT28F320J3BS-11 GMET TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
MT28F320J3BS-11 GMET TR, MT28F320J3BS-11 GMET TR Datasheet
(Totale pagine: 55, Dimensioni: 784,78 KB)
  
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MT28F320J3BS-11 GMET TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH |
| Dimensione della memoria | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 110ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 64-FBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (10x13) |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 45ns Tempo di accesso 55ns Tensione - Alimentazione 1.65V ~ 2.2V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 36-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 36-TFBGA (6x8) |
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