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MT28F004B5VG-8 T

MT28F004B5VG-8 T

Solo per riferimento

Numero parte MT28F004B5VG-8 T
PNEDA Part # MT28F004B5VG-8-T
Descrizione IC FLASH 4M PARALLEL 40TSOP I
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.694
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MT28F004B5VG-8 T Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT28F004B5VG-8 T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT28F004B5VG-8 T, MT28F004B5VG-8 T Datasheet (Totale pagine: 32, Dimensioni: 523,99 KB)
PDFMT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Copertura
MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 2 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 3 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 4 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 5 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 6 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 7 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 8 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 9 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 10 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 11

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MT28F004B5VG-8 T Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina80ns
Tempo di accesso80ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore40-TSOP I

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Produttore

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Serie

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

64Mb (2M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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IS41LV16100C-50TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM - EDO

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

85ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

2.97V ~ 3.63V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

50/44-TSOP II

S99-50204A

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

AT24C64D-SSHM-B

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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