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MT28F004B5VG-8 BET

MT28F004B5VG-8 BET

Solo per riferimento

Numero parte MT28F004B5VG-8 BET
PNEDA Part # MT28F004B5VG-8-BET
Descrizione IC FLASH 4M PARALLEL 40TSOP I
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.356
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT28F004B5VG-8 BET Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT28F004B5VG-8 BET
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT28F004B5VG-8 BET, MT28F004B5VG-8 BET Datasheet (Totale pagine: 32, Dimensioni: 523,99 KB)
PDFMT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Copertura
MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 2 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 3 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 4 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 5 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 6 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 7 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 8 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 9 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 10 MT28F400B5WP-8 TET TR Datasheet Pagina 11

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MT28F004B5VG-8 BET Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina80ns
Tempo di accesso80ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore40-TSOP I

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-FBGA (8x9.5)

7027S15PF

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

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MTFC32GANALEA-WT

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT53E1G64D4SQ-046 AIT:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

AS4C32M16SA-7BCNTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

2ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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