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MT25QU128ABA1EW9-0SIT

MT25QU128ABA1EW9-0SIT

Solo per riferimento

Numero parte MT25QU128ABA1EW9-0SIT
PNEDA Part # MT25QU128ABA1EW9-0SIT
Descrizione IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 1.970
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT25QU128ABA1EW9-0SIT Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT25QU128ABA1EW9-0SIT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT25QU128ABA1EW9-0SIT, MT25QU128ABA1EW9-0SIT Datasheet (Totale pagine: 95, Dimensioni: 1.325,68 KB)
PDFMT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Copertura
MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 2 MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 3 MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 4 MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 5 MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 6 MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 7 MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 8 MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 9 MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 10 MT25QU128ABA8E12-0SIT Datasheet Pagina 11

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MT25QU128ABA1EW9-0SIT Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria128Mb (16M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8ms, 2.8ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 2V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-WPDFN (8x6) (MLP8)

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IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

48-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-PDIP

71V416S15YG

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-SOJ

S29AL008J70BFM023_791479U

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

AL-J

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-FBGA (8.15x6.15)

M58WR032KB70ZB6Z

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

66MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

56-VFBGA (7.7x9)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

150MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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