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MSRTA200120(A)D

MSRTA200120(A)D

Solo per riferimento

Numero parte MSRTA200120(A)D
PNEDA Part # MSRTA200120-A-D
Descrizione DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.382
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 28 - giu 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MSRTA200120(A)D Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMSRTA200120(A)D
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array

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MSRTA200120(A)D Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Series Connection
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 200A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 1200V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaThree Tower
Pacchetto dispositivo fornitoreThree Tower

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Series Connection

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

70V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

150mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

6ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2.5µA @ 70V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

FST100150

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

50A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

880mV @ 50A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 150V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 155°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

TO-249AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-249AB

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Global Power Technologies Group

Produttore

Global Power Technologies Group

Serie

-

Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 600V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

APT2X31DC120J

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 30A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

600µA @ 1200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

CDBD2045-G

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Produttore

Comchip Technology

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

20A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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