MSDM200-12
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| Numero parte | MSDM200-12 |
| PNEDA Part # | MSDM200-12 |
| Descrizione | BRIDGE RECT 3P 1.2KV 200A M3-1 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.042 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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MSDM200-12 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MSDM200-12 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori a ponte |
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MSDM200-12 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Three Phase |
| Tecnologia | Standard |
| Tensione - Picco inverso (Max) | 1.2kV |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 200A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.45V @ 200A |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 1200V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | M3-1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | M3-1 |
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Produttore IXYS Serie - Tipo di diodo Single Phase Tecnologia Standard Tensione - Picco inverso (Max) 1.2kV Corrente - Media Rettificata (Io) 25A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 12.5A Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 1200V Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 4-SIP, GBO Pacchetto dispositivo fornitore 4-SIP |
