MSC010SDA120B
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| Numero parte | MSC010SDA120B |
| PNEDA Part # | MSC010SDA120B |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.384 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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MSC010SDA120B Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MSC010SDA120B |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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MSC010SDA120B Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 10A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 10A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
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Produttore STMicroelectronics Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 15A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 90µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 1200pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 400mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 50nA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SQ-MELF, A Pacchetto dispositivo fornitore D-5A Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
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Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.3V @ 5A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 30µA @ 600V Capacità @ Vr, F 110pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
