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MS2553C

MS2553C

Solo per riferimento

Numero parte MS2553C
PNEDA Part # MS2553C
Descrizione RF TRANS NPN 25V 1.15GHZ M220
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.740
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MS2553C Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMS2553C
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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MS2553C Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)25V
Frequenza - Transizione1.025GHz ~ 1.15GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno10.5dB
Potenza - Max175W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 500mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)4A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaM220
Pacchetto dispositivo fornitoreM220

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.5dB @ 1GHz

Guadagno

17dB

Potenza - Max

180W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 14mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Temperatura di esercizio

200°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

M150

Pacchetto dispositivo fornitore

M150

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

1.9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

400mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

250mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343 Reverse Pinning

Pacchetto dispositivo fornitore

4-SO

BFU530AR

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

11GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.6dB @ 900MHz

Guadagno

18dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB (SOT23)

FMMTH10TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 500MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

330mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

MRF8372R1

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

870MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB ~ 9.5dB

Potenza - Max

2.2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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