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MRF581G

MRF581G

Solo per riferimento

Numero parte MRF581G
PNEDA Part # MRF581G
Descrizione RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.022
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MRF581G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMRF581G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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MRF581G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)18V
Frequenza - Transizione5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Guadagno13dB ~ 15.5dB
Potenza - Max1.25W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 50mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)200mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaMicro-X ceramic (84C)
Pacchetto dispositivo fornitoreMicro-X ceramic (84C)

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Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

3W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 110mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD (200 mil BeO)

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MSC3930-BT1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

150MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70-3 (SOT323)

KSC3123YMTF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

1.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz

Guadagno

20dB ~ 23dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

2N5031

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

400MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

12dB @ 400MHz

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 1mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-72

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Guadagno

21dB

Potenza - Max

160mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 4V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343

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