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MRF559GT

MRF559GT

Solo per riferimento

Numero parte MRF559GT
PNEDA Part # MRF559GT
Descrizione RF TRANS NPN 16V 870MHZ
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.526
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MRF559GT Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMRF559GT
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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MRF559GT Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)16V
Frequenza - Transizione870MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno9.5dB
Potenza - Max2W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 50mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)150mA
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

22V

Frequenza - Transizione

4.3GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.5dB ~ 9.5dB

Potenza - Max

3W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55BT

Pacchetto dispositivo fornitore

55BT

JANTXV2N2857UB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Guadagno

21dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

UB

BFR380FH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

9V

Frequenza - Transizione

14GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

Guadagno

9.5dB ~ 13.5dB

Potenza - Max

380mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 40mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-723

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSFP-3

UTV080

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

28V

Frequenza - Transizione

470MHz ~ 860MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9dB ~ 10dB

Potenza - Max

65W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Channel, DIN Rail Mount

Pacchetto / Custodia

55JV

Pacchetto dispositivo fornitore

55JV

MS2206

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

7.5W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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