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MR4A16BCYS35R

MR4A16BCYS35R

Solo per riferimento

Numero parte MR4A16BCYS35R
PNEDA Part # MR4A16BCYS35R
Descrizione IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2
Produttore Everspin Technologies Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 12.078
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MR4A16BCYS35R Risorse

Brand Everspin Technologies Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMR4A16BCYS35R
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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MR4A16BCYS35R Specifiche

ProduttoreEverspin Technologies Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaRAM
TecnologiaMRAM (Magnetoresistive RAM)
Dimensione della memoria16Mb (1M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina35ns
Tempo di accesso35ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore54-TSOP2

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

2.4V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

MT29C4G48MAZBAAKS-5 WT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

137-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

137-VFBGA (13x10.5)

EM63A165TS-5G

Etron Technology, Inc.

Produttore

Etron Technology, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

4.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

GD25Q64CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Produttore

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

120MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 2.4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

PSRAM

Tecnologia

PSRAM (Pseudo SRAM)

Dimensione della memoria

32Mb (2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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