MPSA29_D27Z
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| Numero parte | MPSA29_D27Z |
| PNEDA Part # | MPSA29_D27Z |
| Descrizione | TRANS NPN DARL 100V 0.8A TO-92 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.634 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida) |
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MPSA29_D27Z Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MPSA29_D27Z |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
| Datasheet |
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MPSA29_D27Z Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN - Darlington |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 800mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 100V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 100µA, 100mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10000 @ 100mA, 5V |
| Potenza - Max | 625mW |
| Frequenza - Transizione | 125MHz |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie * Tipo di transistor - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Potenza - Max - Frequenza - Transizione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 80V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V Potenza - Max 625mW Frequenza - Transizione 150MHz Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 8A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 250V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A Corrente - Taglio collettore (Max) 10µA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 2A, 5V Potenza - Max 2W Frequenza - Transizione 30MHz Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 800mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 45V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V Potenza - Max 625mW Frequenza - Transizione 260MHz Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 2A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 100V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 200mA, 2A Corrente - Taglio collettore (Max) 50nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 2V Potenza - Max 900mW Frequenza - Transizione 175MHz Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8 |
