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MP6K31TR

MP6K31TR

Solo per riferimento

Numero parte MP6K31TR
PNEDA Part # MP6K31TR
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.832
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MP6K31TR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMP6K31TR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
MP6K31TR, MP6K31TR Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 273,35 KB)
PDFMP6K31TCR Datasheet Copertura
MP6K31TCR Datasheet Pagina 2 MP6K31TCR Datasheet Pagina 3 MP6K31TCR Datasheet Pagina 4 MP6K31TCR Datasheet Pagina 5 MP6K31TCR Datasheet Pagina 6 MP6K31TCR Datasheet Pagina 7

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MP6K31TR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs290mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds110pF @ 10V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitoreMPT6

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 22µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3050pF @ 25V

Potenza - Max

54W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount, Wettable Flank

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TDSON-8-10

DMN3016LDV-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1184pF @ 15V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8

BSL207NH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

419pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSOP-6-1

IPG15N06S3L-45

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1420pF @ 25V

Potenza - Max

21W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

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IRF5850

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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